SIC是采用重結晶技術通過高溫燒結而成,其多孔支撐層、過渡層、膜層全部為碳化硅材料，其過濾精度為微濾、超濾級，過濾精度40nm-3um，可以去除乳化液中大分子有機和無機成分。純碳化硅膜過濾系統(tǒng)是一種“錯流過濾”形式的流體分離過程，原料液在膜過膜致密層，含大分子成分的渾濁濃縮液被截留，從而實現流體的澄清、分離、濃縮、提純的目的。純碳化硅膜是國際上最先進的最新一代無機陶瓷膜產品。濃縮、提純的目的。純碳化硅膜是國際上最先進的最新一代無機陶瓷膜產品。SiC膜分離是以具有選擇透過功能的薄膜為分離介質，通過在膜兩側施加一種或多種推動力(壓力差、電場力等)，使原料中的某組分選擇性地優(yōu)先透過膜，從而達到混合物分離等目的。傳統(tǒng)的膜過濾采用的是直流過濾(也稱死端過濾)。直流過濾的渾濁濾液（如生產水)是直接沖擊濾膜，膜孔的表面和膜濾孔的納污空間會很快被填塞和覆蓋，過濾速度會越來越慢直至停止。而碳化陶瓷膜采用的是錯流過濾（也稱切向流過濾），不是直接沖擊膜表面，混合液流動方向與膜面相切，所以膜面上暫時性的覆蓋物會被不斷流入的液體，這樣膜濾孔就會恢復其過濾功能。對膜的使用周期有大大的改善。